买卖IC网 >> 产品目录 >> SI4854DY-T1-E3 MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.0W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI4854DY-T1-E3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.0W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.0W
SI4854DY-T1-E3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 12 V
漏极连续电流 5.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 26 mOhms
配置 Dual
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SO-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI4854DY-T1-E3
SI4854DY-T1SOP-8
SI4856ADY-T1-E3
SI4856DY
SI4856DY-T1-E3
SI4858DY
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  • SI4854DY-T1-E3 参考价格
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